射频芯片是能够将射频信号和数字信号进行转化的芯片。包括RF收发机、 功率放大器（PA） 、 低噪声放大器（LNA） 、 滤波器、 射频开关（Switch） 、 天线调谐开关（Tuner） 等。

射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。对于现有的GSM和TD-SCDMA模式而言，终端增加支持一个频段，则其射频芯片相应地增加一条接收通道，但是否需要新增一条发射通道则视新增频段与原有频段间隔关系而定。对于具有接收分集的移动通信系统而言，其射频接收通道的数量是射频发射通道数量的两倍。这意味着终端支持的LTE频段数量越多，则其射频芯片接收通道数量将会显著增加。

例如，若新增 M个GSM或TD-SCDMA模式的频段，则射频芯片接收通道数量会增加M条；若新增M个TD-LTE或FDD LTE模式的频段，则射频芯片接收通道数量会增加2M条。LTE频谱相对于2G/3G较为零散，为通过FDD LTE实现国际漫游，终端需支持较多的频段，这将导致射频芯片面临成本和体积增加的挑战。

为减小芯片面积、降低芯片成本，可以在射频芯片的一个接收通道支持相邻的多个频段和多种模式。当终端需要支持这一个接收通道包含的多个频段时，需要在射频前端增加开关器件来适配多个频段对应的接收SAW滤波器或双工器，这将导致射频前端的体积和成本提升，同时开关的引入还会降低接收通道的射频性能。因此，如何平衡射频芯片和射频前端在体积、成本上的矛盾，将关系到整个终端的体积和成本。